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  • Trabalho de evento

    On the variability of the low-frequency noise in UTBOX SOI nMOSFETs (2012)

    Simoen, Eddy ; Caño de Andrade, Maria Glória ; Almeida, Luciano Mendes; Aoulaiche, Marc; Caillat, Christian; Jurczak, Malgorzata; Claeys, Cor

    Fonte: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SIMOEN, Eddy et al. On the variability of the low-frequency noise in UTBOX SOI nMOSFETs. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0051ecst. Acesso em: 21 maio 2024.

    • APA

      Simoen, E., Caño de Andrade, M. G., Almeida, L. M., Aoulaiche, M., Caillat, C., Jurczak, M., & Claeys, C. (2012). On the variability of the low-frequency noise in UTBOX SOI nMOSFETs. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0051ecst

    • NLM

      Simoen E, Caño de Andrade MG, Almeida LM, Aoulaiche M, Caillat C, Jurczak M, Claeys C. On the variability of the low-frequency noise in UTBOX SOI nMOSFETs [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0051ecst

    • Vancouver

      Simoen E, Caño de Andrade MG, Almeida LM, Aoulaiche M, Caillat C, Jurczak M, Claeys C. On the variability of the low-frequency noise in UTBOX SOI nMOSFETs [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0051ecst

  • Trabalho de evento

    Analog performance at room and low temperature of triple-gate devices: Bulk, DTMOS, BOI and SOI (2012)

    Caño de Andrade, Maria Glória ; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor

    Fonte: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAÑO DE ANDRADE, Maria Glória et al. Analog performance at room and low temperature of triple-gate devices: Bulk, DTMOS, BOI and SOI. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0111ecst. Acesso em: 21 maio 2024.

    • APA

      Caño de Andrade, M. G., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2012). Analog performance at room and low temperature of triple-gate devices: Bulk, DTMOS, BOI and SOI. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0111ecst

    • NLM

      Caño de Andrade MG, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Analog performance at room and low temperature of triple-gate devices: Bulk, DTMOS, BOI and SOI [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0111ecst

    • Vancouver

      Caño de Andrade MG, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Analog performance at room and low temperature of triple-gate devices: Bulk, DTMOS, BOI and SOI [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0111ecst

  • Trabalho de evento

    Temperature influence on nanowire tunnel field effect transistors (2012)

    Neves, Felipe Souza; Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Rooyackers, Rita ; Leonelli, Daniele ; Claeys, Cor

    Fonte: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      NEVES, Felipe Souza et al. Temperature influence on nanowire tunnel field effect transistors. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0223ecst. Acesso em: 21 maio 2024.

    • APA

      Neves, F. S., Martino, M. D. V., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Rooyackers, R., Leonelli, D., & Claeys, C. (2012). Temperature influence on nanowire tunnel field effect transistors. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0223ecst

    • NLM

      Neves FS, Martino MDV, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Leonelli D, Claeys C. Temperature influence on nanowire tunnel field effect transistors [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0223ecst

    • Vancouver

      Neves FS, Martino MDV, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Leonelli D, Claeys C. Temperature influence on nanowire tunnel field effect transistors [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0223ecst

  • Trabalho de evento

    Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS (2012)

    Santos, Sara Dereste dos ; Nicoletti, Talitha; Aoulaiche, Marc; Martino, João Antonio ; Veloso, A; Jurczak, Malgorzata; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor

    Fonte: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, Sara Dereste dos et al. Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/22d2dffe-4364-4c9f-87ae-bbce2402e1e6/3144801.pdf. Acesso em: 21 maio 2024.

    • APA

      Santos, S. D. dos, Nicoletti, T., Aoulaiche, M., Martino, J. A., Veloso, A., Jurczak, M., et al. (2012). Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/22d2dffe-4364-4c9f-87ae-bbce2402e1e6/3144801.pdf

    • NLM

      Santos SD dos, Nicoletti T, Aoulaiche M, Martino JA, Veloso A, Jurczak M, Simoen E, Claeys C. Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/22d2dffe-4364-4c9f-87ae-bbce2402e1e6/3144801.pdf

    • Vancouver

      Santos SD dos, Nicoletti T, Aoulaiche M, Martino JA, Veloso A, Jurczak M, Simoen E, Claeys C. Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/22d2dffe-4364-4c9f-87ae-bbce2402e1e6/3144801.pdf

  • Trabalho de evento

    Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. (2012)

    Itocazu, Vitor Tatsuo ; Sonnenberg, Victor ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio

    Fonte: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst. Acesso em: 21 maio 2024.

    • APA

      Itocazu, V. T., Sonnenberg, V., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2012). Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0511ecst

    • NLM

      Itocazu VT, Sonnenberg V, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst

    • Vancouver

      Itocazu VT, Sonnenberg V, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst

  • Trabalho de evento

    Biaxial stress simulation and electrical characterization of triple-gate SOI nMOSFETs. (2012)

    Bühler, Rudolf Theoderich ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio

    Fonte: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BÜHLER, Rudolf Theoderich et al. Biaxial stress simulation and electrical characterization of triple-gate SOI nMOSFETs. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0145ecst. Acesso em: 21 maio 2024.

    • APA

      Bühler, R. T., Agopian, P. G. D., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2012). Biaxial stress simulation and electrical characterization of triple-gate SOI nMOSFETs. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0145ecst

    • NLM

      Bühler RT, Agopian PGD, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Biaxial stress simulation and electrical characterization of triple-gate SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0145ecst

    • Vancouver

      Bühler RT, Agopian PGD, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Biaxial stress simulation and electrical characterization of triple-gate SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0145ecst

  • Trabalho de evento

    UTBOX SOI devices with high-k gate dielectric under analog performance (2012)

    Galeti, Milene; Rodrigues, Michele; Aoulaiche, Marc; Collaert, Nadine ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio

    Fonte: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GALETI, Milene et al. UTBOX SOI devices with high-k gate dielectric under analog performance. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0119ecst. Acesso em: 21 maio 2024.

    • APA

      Galeti, M., Rodrigues, M., Aoulaiche, M., Collaert, N., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2012). UTBOX SOI devices with high-k gate dielectric under analog performance. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0119ecst

    • NLM

      Galeti M, Rodrigues M, Aoulaiche M, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Martino JA. UTBOX SOI devices with high-k gate dielectric under analog performance [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0119ecst

    • Vancouver

      Galeti M, Rodrigues M, Aoulaiche M, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Martino JA. UTBOX SOI devices with high-k gate dielectric under analog performance [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0119ecst
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